CN104681646B 碳化硅嵌入式电极平面型光导开关及其制作方法 (西安电子科技大学).docxVIP

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  • 2026-03-19 发布于重庆
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CN104681646B 碳化硅嵌入式电极平面型光导开关及其制作方法 (西安电子科技大学).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN104681646B公告日2017.04.12

(21)申请号201510098637.3

(22)申请日2015.03.05

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN104681646A

(43)申请公布日2015.06.03

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

专利权人中国工程物理研究院核物理与化学研究所

(72)发明人郭辉宋朝阳蒋树庆梁佳博张玉明

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

(51)Int.CI.

HO1L31/0224(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

HO1L31/08(2006.01)

审查员凌宇飞

61205

代理人王品华朱红星

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

碳化硅嵌入式电极平面型光导开关及其制作方法

(57)摘要

CN104681646B本发明公开了一种碳化硅嵌入式电极平面型光导开关及其制作方法,主要解决现有技术中平面型光导开关在相同

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