CN111788698B 半导体装置及半导体装置的制造方法 （株式会社半导体能源研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111788698B

(45)授权公告日2025.07.01

(21)申请号201980016079.8

(22)申请日2019.02.21

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111788698A

(43)申请公布日2020.10.16

(30)优先权数据

2018-0402862018.03.07JP

2018-0402872018.03.07JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2020.08.28

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/IB2019/0513972019.02