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2025年长鑫存储校招面试+笔试全套试题及答案.doc

2025年长鑫存储校招面试+笔试全套试题及答案.doc

    2025年长鑫存储校招面试+笔试全套试题及答案

    一、单项选择题（总共10题，每题2分）

    1.以下哪种存储技术属于易失性存储？

    A.NANDFlash

    B.DRAM

    C.NORFlash

    D.硬盘（HDD）

    2.半导体制造中，光刻工艺的核心目标是：

    A.沉积薄膜

    B.图案转移

    C.掺杂杂质

    D.表面清洗

    3.DRAM存储单元的基本结构是：

    A.一个电容+一个晶体管

    B.两个电容+一个晶体管

    C.一个电容+两个晶体管

    D.两个电容+两个晶体管

    4.以下哪项不是半导体清洗工艺的主要目的？

    A.

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