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- 2026-03-26 发布于广东
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AP20N10DF
100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP20N10DFusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=100VI=20A
DSD
RDS(ON)85mΩ@VGS=10V（Type：68mΩ）
Applicat
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