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- 2026-03-26 发布于广东
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AP90N03DF
30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP90N03DFusesadvancedAPM-SGTVtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=30VI90A
DSD
RDS(ON)1.65mΩ@VGS=10V（Type：1.28mΩ）
Application
Boostd
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