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- 2026-03-26 发布于广东
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AP2N20MI
200VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP2N20MIissiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs,
isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology
whichreducetheconductionloss,improveswitching
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
GeneralFeatures
VDS=200V,ID=2A
RDS(ON)1800mΩ@VGS=10V
Application
LEDdimming
Emergencylamp
Package
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