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- 2026-03-26 发布于广东
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AP80N07D
68VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP80N07Dusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasa
BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=68VI80A
DSD
RDS(ON)8.6mΩ@VGS=10V(Type：6.5mΩ)
Application
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