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- 2026-03-26 发布于广东
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AP4406B
30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP4406Busesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=30VI10A
DSD
RDS(ON)25mΩ@VGS=10V
Application
Batteryprote
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