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- 2026-03-26 发布于广东
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AP80N07FIPIT
68VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP80N07F/P/Tusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithHightEAS.Thisdeviceissuitable
foruseasaBatteryprotectionorinotherSwitching
application.
GeneralFeatures
V=68VI80A
DSD
RDS(ON)9.0mΩ@VGS=10V(Type：7.2mΩ)
Application
Batteryprotection
Loadswitch
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