集成电路三维封装带凸点圆片减薄工艺过程和评价要求标准立项修订与发展报告.docx

《集成电路三维封装带凸点圆片减薄工艺过程和评价要求》标准立项与发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheStandardizationProject:“ProcessandEvaluationRequirementsforBumpedWaferThinningin3DIntegratedCircuitPackaging”

摘要

随着摩尔定律逼近物理极限，集成电路产业正从传统的二维平面集成向三维立体集成（3DIC）演进，以实现更高的性能、更小的尺寸和更低的功耗。三维封装技术，尤其是基于硅通孔（TSV）和凸点互连的技术