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Cu互连中阻挡层Ta膜的制备、结构与性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景

微电子技术作为高科技和信息产业的核心技术，自半导体集成电路问世以来发展迅猛，历经小规模（SSI）、中规模（MSI）、大规模（LSI）、超大规模（VLSI）和巨大规模（ULSI）等时代。每一次技术的进步都以最小特征尺寸的缩小、硅片尺寸的增加及芯片集成度的提高为标志，其中特征尺寸的缩小尤为关键。随着集成电路技术的不断发展，特征尺寸持续缩小，封装密度和工作频率不断提高，芯片上互连线的截面积和线间距也不断下降。这使得互连线的电阻和寄生电容增加，互连线的时间常数大幅提高，在集成电路系统延迟中所占比例越来越大，逐渐成为限制集成电路系统速度的主要因素。当集成电路进入纳米技术时代，互连更是成为制约集成电路性能提高和成本下降的关键因素。

在众多互连技术中，铜互连技术是目前的主要解决方案之一。与传统的第一代互连材料铝相比，铜具有明显的优势。铜的电阻率仅为1.7μΩ?cm，而铝的电阻率为2.8μΩ?cm，这使得铜的导电率大大高于铝。采用铜互连线能够降低互连层的厚度，进而降低互连层间的分布电容，为频率的提高创造了条件。在器件密度进一步增加的情况下，电子迁移引发的可靠性问题日益凸显，而铜在这方面比铝表现更优，其熔点为1083℃，远高于铝的660℃，更不容易发生电迁移。铜互连技术于1998年被引入后，得到了广泛的应