2026《AlGaN基深紫外LED的制备方法及表征分析》2400字.docxVIP

AlGaN基深紫外LED的制备方法及表征分析

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TOC\o1-3\h\u24687AlGaN基深紫外LED的制备方法及表征分析 1

151131.1AlGaN基深紫外LED的制备方法 1

104381.1.1金属有机物化学气相淀积（MOCVD） 1

45121.1.2氢化物气相外延（HVPE） 2

2121.1.3分子束外延（MBE） 3

138571.2AlGaN基深紫外LED的相关表征 3

196951.1.1PL表征 3

261351.1.2EL表征 3

155761.1.3XRD表征 4

248551.1.4Hall表征 4

33981.1.5SEM表征 5

180901.1.6AFM表征 5

1.1AlGaN基深紫外LED的制备方法

外延生长的基本原理是通过气体运送等手段将In、Ga、Al等物质有控制的输送到加热至适当温度的衬底上，生长出特定组分的薄膜。目前制备外延层所主要的技术有金属有机物化学气相淀积、氢化物气相外延、分子束外延。这三种技术各有优劣，下文将会对这三种技术的原理与优劣进行介绍与分析。

1.1.1金属有机物化学气相淀积（MOCVD）

目前制备AlGaN基深紫外LED器件通常使用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）外延生长技术，该技术相较于其他制备方