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CN118039497B 半导体器件的形成方法及半导体器件 （武汉新芯集成电路股份有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-10 发布于山西
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CN118039497B 半导体器件的形成方法及半导体器件 （武汉新芯集成电路股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN118039497B

    (45)授权公告日2025.06.27

    (21)申请号202211378614.4

    (22)申请日2022.11.04

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN118039497A

    (43)申请公布日2024.05.14

    (73)专利权人武汉新芯集成电路股份有限公司

    地址430205湖北省武汉市东湖开发区高

    新四路18号

    (72)发明人周玉胡胜孙鹏

    (74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

    专利代理师郑星

    (51)Int.Cl

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