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CN120111935A 具有高k绝缘CBL的氮化镓增强型垂直晶体管及制备方法 （西安电子科技大学）.pdfVIP

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  • 2026-04-10 发布于重庆
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CN120111935A 具有高k绝缘CBL的氮化镓增强型垂直晶体管及制备方法 （西安电子科技大学）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN120111935A

    (43)申请公布日2025.06.06

    (21)申请号202510165493.2H10D64/27(2025.01)

    (22)申请日2025.02.

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