制备工艺对微纳SnS2电子器件性能的影响.pdfVIP

摘要

石墨烯研究取得突破性进展后，二维材料由于独特的物理和化学特性而受到广泛关注。二维

过渡金属硫族化合物（TMDs）因其量子限域效应和可调谐电子能带结构，成为后摩尔时代器件创

新的核心材料体系。其中，二硫化锡（SnS）作为TMDs家族的重要成员，凭借其独特的晶体结

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构特性，在阻变存储器及光电探测器等先进电子器件领域展现出显著的应用潜力。在半导体功能

器件的结构中，高质量的功能层薄膜极其重要。本文通过调节硫源含量与反应时间，采用水热法

合成SnS纳米材料，对其进行微观表征后确定最适宜的SnS制备工艺。改变球磨时间优化SnS

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薄膜表面质量，研究出了合理的SnS薄膜制备工艺，基于此工艺合成的SnS薄膜研究其阻变存

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储特性及光电特性；为