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2025年《电力电子技术》习题参考答案

一、简答题

1.比较IGBT与MOSFET在静态特性上的主要差异。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）与MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）的静态特性差异主要体现在通态压降、阻断电压能力及驱动特性三方面。IGBT为双极型器件，由MOSFET驱动的PNP晶体管构成，其通态压降随集电极电流增大呈正温度系数，适用于中高压场景（通常600V以上），但存在拖尾电流，关断损耗较高。MOSFET为单极型器件，通态电阻（Rds(on)）随温度升高而增大（正温度系数），适合高频（MHz级）、低压（≤1000V）应用，无少子存储效应，开关速度快，驱动功率小。两者在阻断电压相同时，IGBT的通态压降更低（尤其在高压区），但MOSFET的开关损耗优势随频率升高更显著。

2.简述PWM整流器实现单位功率因数的原理。

PWM整流器通过控制桥臂开关管的通断，使输入电流波形与电网电压波形同频同相。其核心在于采用双闭环控制：外环为直流电压环，通过调节给定电流幅值维持直流侧电压稳定；内环为电流环，通过检测网侧电流与给定电流的偏差，提供PWM信号控制开关管，迫使输入电流跟踪电网电压相位。当电流与电压相位差为0时，功率因数λ=cosφ=1，实现单位功率因数。此外，通过控制电流的正弦度（总谐波畸变率THD5%），可进一步降低谐波污染。

二、计算题

1.单相