新型宽禁带半导体材料与器件研究.ppt

Sb掺杂ZnO薄膜的低温光荧光谱插图为DAP发射峰随激发强度变化的发射谱图Sb掺杂p型ZnO薄膜的研究(光学特性)Sb掺杂样品PL谱有五个发射峰，右面三个发射峰分别是受主束缚激子(A0X)，自由电子到受主能级跃迁发射峰(FA)，以及施主受主对发射峰(DAP)，这三个峰都说明Sb掺杂ZnO薄膜中受主能级的出现。左面两个发射峰是DAP发射峰的两个声子伴线。DAP发射峰随激发强度的增加出现了明显的蓝移，强度从I0/32增至I0时，发射峰向高能方向移动了12meV，这是DAP发射峰的典型特性。样品Sb载气流量导电类型电阻率(Ω?cm)霍耳迁移率(cm2?V-1?s-1)载流