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CN119403121A 存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构 （长鑫科技集团股份有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-17 发布于山西
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CN119403121A 存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构 （长鑫科技集团股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119403121A

    (43)申请公布日2025.02.07

    (21)申请号202310921681.4

    (22)申请日2023.07.24

    (71)申请人长鑫科技集团股份有限公司

    地址230601安徽省合肥市经济技术开发

    区空港工业园兴业大道388号

    (72)发明人唐怡

    (51)Int.Cl.

    H10B12/00(2023.01)

    权利要求书3页说明书14页附图8页

    (54)发明名称

    存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列

    结构

    (57)摘要

    CN119403121A本公开实施例涉及半导

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