CN120158706A 一种基于富Te靶材的高质量GeTe薄膜及其制备方法 （湖北九峰山实验室）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120158706A

(43)申请公布日2025.06.17

(21)申请号202510191272.2

(22)申请日2025.02.20

(71)申请人湖北九峰山实验室

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区九龙湖街9号

(72)发明人贾汉祥刘世航卢双赞胡昌宇

柳俊赵波程涛

(74)专利代理机构武汉蓝宝石专利代理事务所

(特殊普通合伙)42242

专利代理师王晓丽

(51)Int.Cl.

C23C14/06(2006.01)

C23C14/34(2006.01)

C23C14/02(2006.01)

C23