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低频电子线路.pptVIP

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  • 2026-04-18 发布于浙江
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低频电子线路.ppt

    集电极最大允许功耗PCM（图）vCE0击穿区iB③反向击穿电压

    反向击穿电压另有VCEO＞VCER＞VCES极限参数以上介绍的三个极限参数PCMICMV（BR）CEO所限定的区域称为晶体管安全工作区。

    §1.8晶体管命名法1、国产半导体分立元件标准（国标）2、国产半导体集成电路标准（国标）1、国产半导体分立元件标准（国标）

    中国国家标准（GB—249—74）规定的中国半导体器件型号命名方法中国半导体器件命名法第一部分：用数字表示器件的电极数目第二部分：用汉语拼音

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