CN120004263A 一种阴离子插层的石墨催化剂及其制备方法和应用 (电子科技大学).pdfVIP

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  • 2026-04-24 发布于重庆
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CN120004263A 一种阴离子插层的石墨催化剂及其制备方法和应用 (电子科技大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120004263A

(43)申请公布日2025.05.16

(21)申请号202510190131.9

(22)申请日2025.02.20

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人夏川张昕岩李旭冯歆然

江秋郑婷婷

(74)专利代理机构电子科技大学专利中心

51203

专利代理师冯柳

(51)Int.Cl.

C01B32/225(2017.01)

C25B3/23(2021.01)

C25B11/075(2021.01)

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