CN119421456A 具有良好抗雪崩能力的超结mosfet及其制备方法、芯片 (深圳天狼芯半导体有限公司).docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.77万字
  • 约 31页
  • 2026-04-22 发布于山西
  • 举报

CN119421456A 具有良好抗雪崩能力的超结mosfet及其制备方法、芯片 (深圳天狼芯半导体有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119421456A

(43)申请公布日2025.02.11

(21)申请号202510018622.5

(22)申请日2025.01.07

(71)申请人深圳天狼芯半导体有限公司

地址518063广东省深圳市南山区粤海街

道高新区社区科技南路18号深圳湾科

技生态园12栋裙楼904-905

(72)发明人贺俊杰

(74)专利代理机构深圳中一联合知识产权代理

有限公司44414

专利代理师林春梅

(51)Int.Cl.

H10D30/63(2025.01)

H10D30/01(2025.01

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档