2026《半导体激光器的工作原理及光束特性概述》870字.docxVIP

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半导体激光器的工作原理及光束特性概述

半导体激光器的工作原理与其余激光器相同，都是利用电子跃迁引发受激辐射从而产生激光的，不同的是半导体激光器是以一定的半导体材料作为工作物质来产生激光的器件，要让半导体激光器发射激光必须满足相应条件：要有足够的粒子数反转即高能态粒子数大于低能态粒子数、有一个合适的谐振腔起反馈作用促进受激辐射光子增生产生激光振荡、满足一定的阈值条件使光子增益大于光子损耗。

图1.2-1半导体激光器基本结构

半导体激光器的光场分布主要分为近场和远场分布特性，近场分布特性是指光束出射距离与波长具有相同的数量级时（）的光束特性，远场分布特性是指出射光束距离远大于激光波长时（）的光束特性。

对于现在常用的半导体激光器，具有非常薄的有源层结构，大大降低了阈值电流密度，但也因其特殊的结构特性，使得出射光束在快慢轴方向上具有一定的差异性，通常在垂直于结平面（快轴）上的输出光束发散角为30°~60°左右，而平行于结平面（慢轴）上的输出光束发散角约为10°左右，因此，输出光束一般为椭圆形。

图1.2-2半导体激光器远场光束特性

出射激光光束的基本参数如下：

其中表示激光光束在x和y方向的模场半径，表示基模高斯光束在x和y方向的模场半径表示激光光束在x和y方向上的曲率半径，表示出射激光光束在x和y方向上的远场发散角。

目前的半导体激光