n-ZnO_ZnMgO_p-GaN异质结载流子传输与VO₂薄膜太赫兹光谱特性研究.docx

n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结载流子传输与VO?薄膜太赫兹光谱特性研究

一、绪论

1.1研究背景与意义

在现代半导体材料与光电器件的研究领域中，n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结和VO?薄膜展现出了非凡的潜力与应用价值，对它们的深入探究具有极为重要的意义。

n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结集合了ZnO、ZnMgO和GaN三种材料的优势，在光电器件领域具有极大的应用潜力。ZnO作为一种直接宽带隙半导体材料，拥有3.37eV的宽带隙以及高达60meV的激子束缚能，这使得它在室温及以上温度下能够稳定存在激子，是制备高性能光电器件的理想材料。GaN