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石墨烯制备与应用手册

第1章石墨烯制备原理与工艺路线

1.1化学气相沉积法（CVD）

CVD法是将富含碳的气态前驱体（如甲烷、乙炔或苯）通入高温反应室，在衬底表面发生裂解反应，含碳自由基并沉积形成石墨烯薄膜。该过程利用高温（通常为900-1200℃）诱导碳原子在衬底表面成核与生长。反应前需对衬底进行预处理，包括高温退火去除表面有机物并活化晶格，同时采用氮化硅（SiNx）或金刚石衬底以提高石墨烯的载流子迁移率。

气相前驱体输送系统通常采用微波辅助或蒸汽传输技术，确保碳源以气体形式稳定输送至反应区，避免液相扩散带来的不均匀性。反应过程中，衬底温度需精确控制在1000℃左右，此