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- 2026-04-27 发布于北京
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20A,60V,0.027欧姆,N‑通道,逻辑电平
UltraFET®功率MOSFET
封装
特性
•超低导通电阻‑rDS(ON)=0.
023Ω,VGS=10V‑rDS(ON)=0.
027Ω,VGS=5V
•仿真模型‑温度补偿PSPICE®和SABERTM电气模型‑
SPICE和SABER热阻抗模型‑
•峰值电流与脉冲宽度曲线
•UIS等级曲线
符号
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