摘要
日益严峻的环境与气候问题促使各国加快能源结构转型,为可再生能源的发
展提供了广阔空间。我国积极响应全球绿色低碳发展趋势,提出“双碳”战略目标,
推动了光伏发电规模持续攀升,同时,市场也对光伏逆变器效率与功率密度提出
更高技术要求,然而,传统硅基功率器件性能已接近物理极限,光伏逆变器系统
性能提升空间受限。氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的代表,凭借其高开关
速度与低导通损耗等优势,为光伏逆变器的高效高功率密度提供了新的技术途径。
为此,本文开展了基于GaNHEMT器件的单相两级式户用光伏逆变
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