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CMOS工艺兼容下高速硅基光互连关键器件的探索与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

1.1.1硅基光互连发展的迫切需求

随着信息技术的飞速发展，集成电路（IntegratedCircuit，IC）的性能不断提升，其特征尺寸持续缩小，集成度和工作频率不断提高。这使得芯片上的电互连面临着前所未有的挑战，如传输延迟、功耗、电磁干扰以及设计复杂度等问题日益突出，这些问题逐渐成为制约系统整体性能提升的瓶颈。传统的电互连技术在信号传输过程中，由于电阻、电容和电感等寄生效应的存在，导致信号传输延迟增加，功耗急剧上升。当信号频率升高时，电磁干扰问题也愈发严重，严重影响了信号的完整性和系统的可靠性。据