CN110783200A 半导体元件及其制造方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110783200A

(43)申请公布日2020.02.11

(21)申请号201910675829.4

(22)申请日2019.07.25

(30)优先权数据

62/712,8682018.07.31US

16/396,4052019.04.26US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址中国台湾新竹市新竹科学工业园区力

行六路八号

(72)发明人郑兆钦江宏礼陈自强陈奕升

(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理

有限公司11006

代理人徐金国

(51)Int.Cl.

H01L21/336(2006.01)

H01L29/78(2006.01)

H01L29/423(2006.01)

H01L29/167(2006.01)

权利要求书2页说明书17页附图29页

(54)发明名称

半导体元件及其制造方法

(57)摘要

CN110783200A本揭示是关于半导体元件及其制造方法。在制造半导体元件的方法中，鳍结构形成于底部鳍结构上方，其中鳍结构为交替堆叠第一半导体层及第二半导体层。具有侧壁间隔物的牺牲栅极结构形成于鳍结构上方。去除未由牺牲栅极结构覆盖的鳍结构的源极/漏极区域。横向凹陷第二半导体层。介电内部间隔物形成在经凹陷