摘要
SiC作为第三代半导体材料,其作为纳米材料具有密度低、耐腐蚀性和抗氧
化性好、化学稳定性质优异、热传导率高等优点,在电磁吸波领域中有着广泛的
应用。但传统制备SiC的方法往往存在着能耗高、工艺复杂和周期长、需要大量
的化学气体和试剂以及不易调控形貌和晶型等不足,制约了工业化大规模生产。
因此,寻找低能耗、工艺成本低和绿色无污染和晶型、形貌可控的制备方法至关
重要。
闪蒸焦耳热技术(FJH)是当前学界创新且卓越的材料制备技术,其具有低
摘要
SiC作为第三代半导体材料,其作为纳米材料具有密度低、耐腐蚀性和抗氧
化性好、化学稳定性质优异、热传导率高等优点,在电磁吸波领域中有着广泛的
应用。但传统制备SiC的方法往往存在着能耗高、工艺复杂和周期长、需要大量
的化学气体和试剂以及不易调控形貌和晶型等不足,制约了工业化大规模生产。
因此,寻找低能耗、工艺成本低和绿色无污染和晶型、形貌可控的制备方法至关
重要。
闪蒸焦耳热技术(FJH)是当前学界创新且卓越的材料制备技术,其具有低
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