CN119497418A 一种具有N-top区的碳化硅半导体器件及其制备方法 （杭州谱析光晶半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119497418A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202510082950.1

(22)申请日2025.01.20

(71)申请人杭州谱析光晶半导体科技有限公司

地址310000浙江省杭州市萧山区瓜沥镇

航钱路168号3幢4层405（自主分割）

(72)发明人许一力李鑫刘倩倩

(74)专利代理机构深圳市励知致远知识产权代理有限公司44795

专利代理师武世雄

(51)Int.Cl.

H10D62/10(2025.01)

H10D30/66(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书2页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种具有N-top区的碳化硅半导体器件及其

制备方法

(57)摘要

CN119497418A本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有N_top区的碳化硅半导体器件，包括漏极、半导体外延层、源极、栅极，以及覆盖在栅极表面处的栅氧化层，所述半导体外延层包括有N衬底层和N漂移层，所述N漂移层的内部通过离子注入形成有P+阱层、N阱层和P阱层；所述N漂移层的内部且位于栅极的正下方通过离子注入形成有N型掺杂区一，所述N型掺杂区一的内部通过离子注入形成有P型掺杂区。本发明通过P型掺杂所构成的