碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）试验方法 第4部分：高温反偏编制说明.pdfVIP

国家标准《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC

MOSFET）试验方法第4部分：高温反偏》（征求意见稿）

编制说明

一、工作简况

1.1任务来源

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）试验方法第4

部分：高温反偏》标准制定是2026年第一批推荐性国家标准采信团体标准计划项

目，计划项目批准文号：国标委发﹝2026﹞12号，计划代号T-339，

由中华人民共和国工业和信息化部提出，由全国半导体器件标准化技术委员会

（SAC/TC78）归口，第一起草单位为忱芯科技(上海)有限公司，北京第三代半

导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、广电计量检测集

团股份有限公司、北京怀柔实验室、深圳平湖实验室、东南大学、安徽长飞先进

半导体股份有限公司、武汉山拓微电子有限公司、广东芯聚能半导体有限公司、

合肥功立德半导体科技有限公司、浙江大学、西安交通大学、湖北九峰山实验室、

中国电子科技集团公司第五十五研究所、江苏宏微科技股份有限公司、清纯半导

体（宁波）有限公司、中国长江三峡集团有限公司、广东工业大学、中国第一汽

车股份有限公司、国芯微