原创力文档2026年半导体行业人才培养技术测试题及答案
一、单项选择题（每题2分，共20分）
1.以下哪种材料属于第三代宽禁带半导体的典型代表？
A.单晶硅（Si）
B.砷化镓（GaAs）
C.碳化硅（SiC）
D.锗硅（SiGe）
答案：C
2.在10nm以下先进制程中，FinFET器件的沟道控制主要依赖于：
A.栅极材料功函数调整
B.鳍片（Fin）的三维结构
C.源漏区应力工程
D.高k介质层厚度优化
答案：B
3.EUV（极紫外）光刻的波长为：
A.193nm
B.248nm
C.13.5nm
D.365
文档评论（0）