CN119521667A 一种存储器件的制造方法及存储器件 （武汉新芯集成电路股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119521667A

(43)申请公布日2025.02.25

(21)申请号202311044576.3

(22)申请日2023.08.16

(71)申请人武汉新芯集成电路股份有限公司

地址430205湖北省武汉市东湖开发区高

新四路18号

(72)发明人龚风丛曹开玮

(74)专利代理机构深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280

专利代理师黎坚怡

(51)Int.Cl.

H10B41/30(2023.01)

权利要求书3页说明书14页附图14页

(54)发明名称

一种存储器件的制造方法及存储器件

(57)摘要

CN119521667A本发明公开了一种存储器件的制造方法及存储器件，制造方法包括：提供半导体基体，包括衬底、衬底上的硬掩膜层；从硬掩膜层在衬底的有源区开设多个第一凹槽，一部分位于存储区域，另一部分位于引出区域，第一凹槽在衬底中的部分定义为基体凹槽；在基体凹槽的底部形成栅绝缘层和半浮栅；半浮栅的一部分与衬底接触，另一部分与衬底之间通过栅绝缘层隔离；在第一凹槽中分别形成栅间介质层和第一栅极层，在存储区域的第一凹槽中形成存储单元的控制栅，在引出区域的第一凹槽中形成存储单元的引出线，即本申请使得引出区域可以与外界接触，

CN119521667A

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