摘要
随着三维集成电路向微米级凸点间距方向发展,传统Sn基焊点呈现热机械
应力集中与界面脆性失效等问题。Cu-Ni-SnAg-Ni-Cu互连结构因其优异的电热
性能成为先进封装的优选互连方案,尚需开展Cu/Ni/SnAg微凸点结构热压键合
工艺优化和可靠性研究。
本文采用晶圆级芯片封装(WLCSP)工艺制备Cu/Ni/SnAg微凸点,结合热
压键合技术构建最佳工艺条件下的互连结构;阐明了Cu/Ni/SnAg微凸点热压键
合过程中金属间化合物(
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