CN119553226A 一种半导体激光器增透膜的制备方法 （山西创芯光电科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119553226A

(43)申请公布日2025.03.04

(21)申请号202510137533.2

(22)申请日2025.02.07

(71)申请人山西创芯光电科技有限公司

地址030000山西省太原市小店区南内环

街16号二号厂房一层

(72)发明人刘浩伟张培峰梅石磊薛泽林赵齐齐张马俊

(74)专利代理机构太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙)14109

专利代理师孟肖阳冷锦超

(51)Int.Cl.

C23C14/06(2006.01)

C23C14/08(2006.01)

C23C14/35(2006.01)

C23C14/56(2006.01)

C23C14/54(2006.01)

H01S5/028(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种半导体激光器增透膜的制备方法

(57)摘要

CN119553226A本发明提供了一种半导体激光器增透膜的制备方法，属于半导体激光器技术领域；解决了现有增透膜制备工艺存在的膜层脱落问题；包括：巴条镀膜前预处理清洗：将反应磁控设备的腔室抽真空至10_6Torr等级的真空度，开启加热灯将腔室加热至设定温度，启动离子源，在离子源通入适量等离子