摘要
对自旋的灵活调控是实现自旋电子器件多功能化的重要环节。近年来,随着低维
材料体系的快速发展,如何在二维极限下实现高自旋极化和自旋极性的可控切换成为
自旋电子学领域的研究热点。值得注意的是,二维反铁磁材料因具备优异的稳定性、
抗磁场干扰性以及超快动力学响应等优势,在纳米级自旋电子学中展现出巨大的应用
潜力。然而,由于缺乏宏观磁矩,二维反铁磁材料的自旋调控仍然面临一些问题:一
方面,现有的自旋调控方案普遍存在易失性、临界电场过高以及实验上难以精准调控
等问题;另一方面,在费米能级附近实现100%
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