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基于TaSe2、VS2和VSe2可饱和吸收体Er_YAP高性能被动调Q技术研究.pdf

基于TaSe2、VS2和VSe2可饱和吸收体Er_YAP高性能被动调Q技术研究.pdf

    摘要

    2.8µm高重频脉冲激光在材料加工、生物医疗、国防安全等领域发挥着不可替代

    的作用。其中被动调Q是获取高重频脉冲激光的重要手段，可饱和吸收体(SA)是实现

    被动调Q的核心器件。随着科技的发展，越来越多具有优良光学性能的二维（2D）材

    料被发现适合作为SAs，例如黑磷、石墨烯、过渡金属硫化物、拓扑绝缘体、MXenes

    等。然而，相较于近红外波段，中红外波段由于缺少具备诸如高激光损伤阈值，低非

    饱和损耗，合适的调制深度等整体性能优异的SA而导致这一方面研究仍存在不足。本

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