摘要
近年来,基于金属卤化物钙钛矿的新一代半导体材料凭借其卓越的光电性能
成为科学界瞩目的焦点,为高效光电器件的研发带来了新希望。钙钛矿材料之所
以能取得如此广泛的成功,一个关键因素在于其具有缺陷容忍度高、载流子迁移
率高等独特的半导体性质。在短短几年内,这类材料已经成为发展成熟的有机材
料和III-V族或II−VI族半导体纳米材料的竞争者。然而,钙钛矿材料固有的化
学性质不稳定通常会引发了一些棘手的问题:其一,其软离子晶格容易引发复杂
的热诱导相变,导致材料组分发生更多变化;其二,高度离子化晶
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