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北京航空航天大学202教研室内容组织N沟道JFET，VDS对沟道影响

VDS=0，VGS增加时，沟道变化；

VGS=0，VDS增加时，沟道变化；内容组织vGS的控制作用-栅源对沟道的影响演示vDS的控制作用（漏源对沟道的影响演示）

场效应管（FET）小结特点：电场控制电流-输入电阻高仅多子导电-温度稳定性好类型：结型：JFETN沟道、P沟道绝缘栅型MOSFET：N沟道D/E；P沟道D/E;原理：JFET利用PN结反向电压控制耗尽层厚度，改变沟道宽窄，控制漏极电流；MOSFET利用栅源电压改变表面感生电荷，控制漏极电流。随堂小测试（5min）画出JFET的低频小信号模型？等效参数？MOS管小信号等效电路？等效参数？E型NMOS管的输出特性曲线：I区－线性区

II区－饱和区(恒流区)

III区－截止区IV区－击穿区保持vGS为不同固定值时，得到iD随vDS变化的一族曲线P50页(表1)：E型NMOS输出特性耗尽型NMOS管和增强型PMOS管工作原理D型NMOSFET工作原理D型NMOS管

和E型NMOS

管结构基本相

同，区别仅在

于导电沟道事

先存在，在

vGS=0的时候，

iD也不等于0。

当vGS=VGS(off)

时，导电沟道

消失，iD=0。vGS=0时iD0E型