CN119591153A 一种大尺寸单斜相vo2纳米片或薄膜及其制备方法与应用 （深圳理工大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119591153A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202311124459.8

(22)申请日2023.09.01

(71)申请人深圳理工大学

地址518000广东省深圳市光明区新湖街

道公常路1号

申请人中国科学院深圳先进技术研究院

(72)发明人彭晶罗娜成会明

(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限

公司11127

专利代理师闫加贺张德斌

(51)Int.Cl.

C01G31/02(2006.01)

B82Y40/00(2011.01)

权利要求书1页说明书5页附图4页

(54)发明名称

一种大尺寸单斜相VO2纳米片或薄膜及其制

备方法与应用

(57)摘要

CN119591153A本发明提供一种大尺寸单斜相VO2纳米片或薄膜及其制备方法与应用，其中，制备方法包括以VCl3和V2O3为原料，通过化学气相传输法制得VOCl单晶；对VOCl单晶进行压片得到VOCl单晶片，再以VOCl单晶片为阴极，铂为对电极，于有机盐电解液中经电化学插层剥离得到VOCl单层纳米片；将VOCl单层纳米片分散于极性有机溶剂中，再将所得溶液滴于基底材料后烘干；或将所得溶液滴于有机滤膜后经抽滤得到VOCl薄膜，将VOCl薄膜转移到基底材料上进