现代半导体器件物理与工艺.pptVIP

图形曝光与光刻现代半导体器件物;图形曝光与刻蚀图形曝光（lit;光学图形曝光－洁净室在集成电路;英制系统等级数值是每立方英尺中;光刻机光刻机的性能由三个参数判;无标题;投影式曝光;对遮蔽式曝光，最小线宽（临界尺;一个投影系统的分辨率可以表示为;简单的成像系统;由于有较高的光强度与稳定度，高;掩模版用于IC制造的掩模版通常;IC掩模版;缺陷密度是掩模版好坏的主要原因;10道掩模版的成品率，每道掩模;抗蚀剂抗蚀剂是对光敏感的化合物;无标题;曝光、显影后残存抗蚀剂的百分率;正性和负性抗蚀剂;三层抗蚀剂的工艺步骤;图案转移;相关的图案转移工艺还有剥离与浮;分辨率增加技术在IC工艺中，提;无标题;新一代图形曝光技术高产率、好的;电子束图形曝光电子束图形曝光主;顺序扫描（左）和矢量扫描;无标题;无标题;SCALPEL利用电子束投影的;SCALPEL?writing;电子束抗蚀剂电子束抗蚀剂是一种;邻近效应在光学图形曝光中，分辨;极远紫外光图形曝光（EUV）E;因为EUV光束很窄，必须利用光;X射线图形曝光（XRL）XRL;无标题;X射线图形曝光的几何效应;离子束图形曝光离子束图形曝光比;不同图形曝光方法的比较先前讨论;各种图形曝光技术的比较如下光学;各种曝光系统的分辨率与硅片产率;湿法化学腐蚀（WCE）WCE在;腐蚀速率均匀度可用腐蚀速率的百;硅的腐蚀对半导体而言，WCE通;无标题;利用二氧化