CN119603968A 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119603968A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202311161973.9

(22)申请日2023.09.08

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人王溢欢张宇澄黄武根肖亮苗利娜

(74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理

有限公司11274

专利代理师申健

(51)Int.Cl.

H10B43/27(2023.01)

H10B43/35(2023.01)

H10B43/50(2023.01)

H10B41/27(2023.01)

H10B41/35(2023.01)

H10B41/50(2023.01)

权利要求书3页说明书15页附图12页

CN119603968A

(54)发明名称

半导体结构及其制备方法、存储系统、电子

设备

(57)摘要

本发明实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在避免连接区的沟道结构漏电影响阵列区的沟道结构的存储功能，提高半导体结构的良品率。本申请实施例中提供的半导体结构包括位于阵列区的第一沟道结构和位于连接区的第二沟道结构，半导体结构还包括覆盖在堆叠结构上