CN119603969A 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119603969A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202311163559.1

(22)申请日2023.09.08

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人张文博余凯陆智勇彭盛

程朝晖曹开俊李张宜张梦高晶霍宗亮

(74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理

有限公司11274

专利代理师魏月

(51)Int.Cl.

H10B43/27(2023.01)

H10B43/35(2023.01)

H10B43/50(2023.01)

H10B41/27(2023.01)

H10B41/35(2023.01)

H10B41/50(2023.01)

权利要求书4页说明书29页附图46页

CN119603969A

(54)发明名称

半导体结构及其制备方法、存储系统、电子

设备

(57)摘要

本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在节省工艺时间，简化制备步骤。所述半导体结构包括层叠设置的第一介质层和堆叠结构、位于第一介质层内的第一沟道层、贯穿堆叠结构的第二沟道层、位于第一介质层内的连接线以及