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- 2026-05-26 发布于北京
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第四章发光与耦合器件;优选第四章发光与耦合器件;3、制作材料
(1)直接带(直接跃迁)材料:GaAs、GaN、ZnSe等。
(2)间接带(间接跃迁)材料:GaP
(3)混晶:GaAs1-xPx,禁带宽,掺杂不同材料,可发出不同颜色的光。
4、特点
体积小,耐冲击,寿命长,功耗低,响应快,可靠性高,颜色鲜明&易与集成电路匹配等。
;二、特性参数
(一)效率
(1)用于非显示
功率效率:输入的电功率转换成辐射的功率的效率。;量子效率:注入载流子复合而产生的光量子效率,可分为内量子效率&外量子效率。
内量子效率:辐射复合所产生的光子数与激发时注入的电子空穴对数之比。
外量子效率:射出光子数与注入电子空穴对数之比。
(2)用于显示
照明效率:辐射功率转换成光通量的效率。
流明效率:消耗单位功率所得到的光通量。
;(2)发光光谱(发光的相对强度随波长变化的分布曲线,它直接决定发光二极管的发光颜色,并影响其流明效率)
;1、数字、文字以及图像显示
2、受激吸收(Flash演示)
当二者距离增大,绝缘耐压提高,但电流传输比却降低,反之,绝缘耐压降低,但电流传输比却提高。
体积小,耐冲击,寿命长,功耗低,响应快,可靠性高,颜色鲜明&易与集成电路匹配等。
半导体激光器:小巧,耐用,简单,常用于光通信,光信息存储等。
由于电子&光子在异质结面上都受到了限制,减小了损耗,因而降低了阈值。
气体激光器:一
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