基于子带跃迁的GaN基多量子阱材料与器件性质的深度剖析.docx

基于子带跃迁的GaN基多量子阱材料与器件性质的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在光电子领域，GaN基多量子阱材料凭借其独特的物理性质，成为了研究和应用的焦点。以氮化镓（GaN）为代表的Ⅲ族氮化物材料，在近几十年中得到了广泛且深入的研究与发展。继第一代半导体锗（Ge）、硅（Si）和第二代半导体砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）之后，Ⅲ族氮化物、氧化锌（ZnO）和碳化硅（SiC）等宽禁带半导体材料，因其禁带宽度大且具有广泛的可调带隙范围，受到了科学界和产业界的高度关注。由Ⅲ族氮化物GaN、InN和AlN组成的连续三元合金体系，其直接带隙宽度覆盖了从InN的0