基于电致发光对高功率半导体芯片缺陷的研究.pdf

基于电致发光对高功率半导体芯片缺陷的研究.pdf

摘要

摘要

高功率半导体激光器因其独特优点,在工业、通信、医疗等领域具有重要应用,但

其可靠性受制于突发性失效问题(如腔面灾变COMD和体灾变COBD)。由于高功率半

导体激光器芯片结构种类繁多,对于失效芯片没有统一且简单高效的检测方式,因此

本研究以976nm半导体激光器为研究对象,结合自主搭建的EL分析设备与高倍金相显

微镜,对加速寿命试验和生产中出现的失效芯片进行检测,系统分析该半导体激光器

失效机理,针对生产过

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档