CN119643681A 一种晶圆表面上贵金属含量的测试方法 （杭州积海半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119643681A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202510167987.4

(22)申请日2025.02.17

(71)申请人杭州积海半导体有限公司

地址310020浙江省杭州市钱塘新区义蓬

街道江东大道3899号709-7号

(72)发明人原伟亮张印月李浩陈阳李时璟

(74)专利代理机构上海汉之律师事务所31378

专利代理师吴向青

(51)Int.Cl.

G01N27/626(2021.01)

G01N1/28(2006.01)

H01L21/66(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种晶圆表面上贵金属含量的测试方法

(57)摘要

CN119643681A本发明公开了一种晶圆表面上贵金属含量的测试方法，属于半导体技术领域。至少包括以下步骤：提供一晶圆承载台，将待采集晶圆设置于所述晶圆承载台上；在所述晶圆上添加提取液，所述提取液中至少包含氢氟酸、硝酸、盐酸和超纯水；移动所述提取液至所述提取液覆盖晶圆待检测区域；收集所述提取液，并采用超纯水将其稀释5_10倍；以及将稀释过的所述提取液送入感应耦合电浆质谱仪中，分析所述提取液中的贵金属含量。通过本发明提供的晶圆表面上贵金属含量的测试方