芯片制造概述课件.pptVIP

晶片製造概述概述本章將介紹基本晶片生產工藝的概況，主要闡述4中最基本的平面製造工藝，分別是：薄膜製備工藝摻雜工藝光刻工藝熱處理工藝薄膜製備是在晶體表面形成薄膜的加工工藝。圖4.4是MOS電晶體的剖面圖，可以看出上面有鈍化層(Si3N4、Al2O3)、金屬膜(Al)、氧化層(SiO2)製備這些薄膜的材料有：半導體材料（Si、GaAs等），金屬材料（Au、Al等），無機絕緣材料（SiO2、Si3N4、Al2O3等），半絕緣材料（多晶矽、非晶矽等）。生長工藝如圖所示。其中蒸發工藝、濺射等可看成是直接生長法------以源直接轉移到襯底上形成薄膜；其他則可看成是間接生長法-----製備薄膜所需的原子或分子，由含其組元的化合物，通過氧化、還原、熱分解等反應而得到。薄膜分類/工藝與材料的對照表光刻利用光刻膠的感光性和耐蝕性，在各種薄膜上複印並刻蝕出與掩摸版完全對應的幾何圖形。以實現選擇性摻雜和金屬膜佈線的目的。是一種非常精細的表面加工技術，在器件生產過程中廣泛應用，因此光刻精度和品質將直接影響器件的性能指標，同時也是影響製造成品率和可靠性的重要因素。光刻過程如圖4.7所示。摻雜人為地將所需要的雜質以一定的方式（熱擴散、離子注入）摻入到矽片表面薄層，並使其達到規定的數量和符合要求的分佈形式