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集成电路设计学习思考题参考答案及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题（每题2分，共20分）

1.MOSFET工作在饱和区的条件是？

A.VdsVgs-Vth

B.VdsVgs-Vth

C.Vds=Vgs-Vth

D.VgsVth

2.CMOS反相器中，PMOS与NMOS的宽比比通常为？

A.1:1

B.2:1

C.3:1

D.4:1

3.动态功耗的主要来源是？

A.静态漏电流

B.信号翻转时的充电放电

C.短路电流

D.接触电阻损耗

4.逻辑函数F=A+B的CMOS实现需要多少个晶体管？

A.4个

B.6个

C.8个

D.10个

5.集成电路制造中，光刻的目的是？

A.形成硅衬底

B.将图形转移到硅片上

C.掺杂杂质

D.沉积金属层

6.建立时间（SetupTime）的定义是？

A.时钟上升沿后数据稳定时间

B.时钟上升沿前数据稳定时间

C.时钟下降沿前数据稳定时间

D.时钟下降沿后数据稳定时间

7.静态功耗计算公式为？

A.Pstatic=Vdd×Ioff

B.Pstatic=Vdd2×Ioff

C.Pstatic=Vdd2×(Ioff+Ileak)

D.Pstatic=Vdd×(Ioff